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STP8NM50 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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STP8NM50詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO-220
系列:MDmesh™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:550V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:415pF @ 25V
功率_最大:100W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

STP8NM50FP詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 550V 8A TO-220FP
系列:MDmesh™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:550V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:8A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:415pF @ 25V
功率_最大:25W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3 整包
供應商設備封裝:TO-220FP
包裝:管件

STP8NM50N詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
系列:MDmesh™
制造商:STMicroelectronics
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:500V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:790 毫歐 @ 2.5A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:364pF @ 50V
功率_最大:45W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應商設備封裝:TO-220AB
包裝:管件

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